カイラルな構造をもつ超伝導体の合成技術を学ぶことを目的に東京都立大学電子物性研究室の松田教授をはじめ、増川氏、中島氏の協力のもと、RhGe4 の高圧合成と IrGe4 の結晶構造解析を行いました。

RhGe4 の合成については、3 日以上にわたる高圧合成プロセスを経て、単結晶の合成に成功しました。この一連のプロセスを主体的に体験することで、論文から得た耳学問的な知識を超えて、合成条件の詳細や品質向上のための具体的な工夫の一端を習得することができました。

また、RhGe4 の高圧合成と並行して、チョクラルスキー法により作製した IrGe4 のインゴットから単結晶を取り出すために、ラウエ法により単結晶領域を決定し、単結晶構造解析を行いました。これらの実験により、左手系の IrGe4 を単離できました。この一連の実験を通じて、右手系の IrGe4 よりも左手系の IrGe4 のほうが生成されやすく、カイラル物質における左右を作り分けることの難しさが実体験として理解できました。後日、別に提供いただいた右手系の IrGe4 試料の熱伝導を測定した際には、その試料の貴重さを噛みしめながら実験を行いました。

今後は、本プログラムで得た経験を生かして、カイラルな構造をもつ超伝導体 RhGe4 および IrGe4 を対象とした研究をより質の高いものにしていきたいと考えています。

最後に、お忙しいところ温かく受け入れてくださった東京都立大学電子物性研究室の皆様に深く感謝を申し上げます。

大阪大学大学院基礎工学研究科（A02井澤グループ） 小原 楓（M2）

※「スキル相伝プログラム」とは？
本領域（アシンメトリ量子）では、国内の他研究機関に短期滞在して、精密測定技術や数値計算技法、 物質合成等の現場の技術を学んで共同研究を促進する国内留学活動、また海外の研究室に 1∼2ヶ月ほど滞在して共同研究や自身の研究の基盤作りを行う海外派遣を支援します。